SMF5923A是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的电流处理能力。它通常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及各种功率控制应用中。
该器件以其卓越的性能和可靠性在业界广泛使用,并且由于其小封装尺寸,非常适合对空间要求严格的电路设计。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±12V
连续漏极电流:3.8A
导通电阻(典型值):45mΩ
栅极电荷:1.5nC
输入电容:180pF
总电容:760pF
工作结温范围:-55℃至175℃
SMF5923A具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能确保在高频应用中的高效运作。
3. 小型SOT-23封装节省PCB空间,适合便携式设备。
4. 提供强大的雪崩能力和ESD保护,增强了器件的耐用性和可靠性。
5. 宽泛的工作温度范围使其适用于多种恶劣环境下的应用。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
SMF5923A的主要应用领域包括:
1. 移动设备中的负载开关和电源管理。
2. 电池供电产品的充电和放电路径控制。
3. 各种DC-DC转换器中的同步整流。
4. 消费类电子产品中的电机驱动和信号切换。
5. 照明系统的调光和调压控制。
6. 工业自动化中的小型化功率控制模块。
SMF5922A, FDP5923, BSS138