时间：2025/8/24 11:12:21
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G20N60C2是一款高耐压、大电流的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动和电源管理等领域。该器件采用了先进的平面技术，具有较低的导通电阻和较高的效率，能够在高压和高电流条件下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：600V
最大漏极电流（ID）：20A
导通电阻（RDS(on)）：0.2Ω（典型值）
最大功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247、TO-220等
G20N60C2具有优异的电气性能和可靠性，其核心优势在于低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
该器件支持高电压和大电流操作，适用于各种高功率应用场景。
其封装设计具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定运行。
此外，G20N60C2具备较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受性，适用于对可靠性和稳定性要求较高的工业级应用。
由于其高耐压特性和优异的开关性能，G20N60C2可广泛用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、逆变器、电机控制器等设备中。
G20N60C2常用于电源转换系统，如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、逆变器、马达驱动器、工业自动化设备以及LED照明驱动电路等。
在这些应用中，G20N60C2能够提供高效的功率控制能力，同时具备良好的稳定性和抗干扰能力。
其高耐压和大电流承载能力也使其适用于新能源领域，如太阳能逆变器、电动汽车充电设备等。
此外，该MOSFET还可用于家用电器中的电源管理模块，如空调、洗衣机、电冰箱等。
IRF840、STP20N60、FQA20N60、2SK2647
