类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：450V
　　最大漏极电流（ID）：19A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.24Ω（最大）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V 至 4.0V
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

IXTH19N45A 是一款性能优异的功率 MOSFET，其主要特性包括高耐压、大电流能力和低导通电阻。该器件的导通电阻仅为 0.24Ω，这显著降低了在高电流工作时的导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，IXTH19N45A 的最大漏极电流可达 19A，能够在高功率负载下稳定工作。
　　该 MOSFET 支持高达 450V 的漏源电压，适用于多种高压应用场景。其栅极阈值电压范围为 2.1V 至 4.0V，允许使用标准逻辑电平进行驱动，简化了驱动电路的设计。IXTH19N45A 还具有良好的热稳定性，能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内工作，适合工业级和高可靠性要求的应用。
　　采用 TO-247 封装形式，IXTH19N45A 提供了良好的散热性能，便于安装散热片以提高热管理效率。该封装形式也增强了器件的机械强度，提高了在高振动和机械应力环境下的可靠性。

IXTH19N45A 广泛应用于需要高电压和高电流能力的功率电子系统中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动器、逆变器、工业自动化设备以及太阳能逆变器等。由于其高效率和低导通电阻的特性，IXTH19N45A 也适用于需要频繁开关操作的电路设计，如 DC-DC 转换器和功率因数校正（PFC）电路。
　　在电机控制应用中，IXTH19N45A 可用于 H 桥结构中的功率开关，实现对电机的正反转控制和制动功能。在电源管理领域，该 MOSFET 可用于构建高效率的同步整流电路，提升整体系统的能效表现。

IXTH20N45S, IRF450, STP19N45, FQA19N45C