时间：2025/8/24 19:27:21
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FCPF13N60N是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的N沟道功率MOSFET。该器件主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用中。FCPF13N60N的耐压能力为600V，最大连续漏极电流为13A，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制等高功率应用场景。该MOSFET采用了先进的平面条状沟槽技术，提供了较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，有助于提高系统效率并降低能耗。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大栅源电压（Vgs）：±30V
最大连续漏极电流（Id）：13A
导通电阻（Rds(on)）：0.42Ω @ Vgs = 10V
漏极电容（Coss）：150pF @ Vds = 25V
栅极电荷（Qg）：34nC @ Vgs = 10V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220、D2PAK
FCPF13N60N具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）使得在导通状态下的功率损耗显著降低，从而提高了系统的整体效率。其次，该器件具备良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持稳定运行，适用于高温环境或高功率密度的设计。此外，FCPF13N60N的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度和动态性能。在可靠性方面，该MOSFET具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保护器件免受损坏。同时，其栅极氧化层设计可提供更高的栅极电压耐受能力，增强了器件的长期稳定性和抗干扰能力。封装方面，TO-220和D2PAK封装形式提供了良好的散热性能，适合多种PCB布局需求。综合这些特性，FCPF13N60N是一款适用于多种高功率开关应用的高性能MOSFET。
FCPF13N60N广泛应用于各类电力电子系统中，特别是在高电压和高效率要求的场合。常见应用包括开关电源（SMPS）、离线式AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、LED照明驱动电路、电动工具、工业自动化设备、逆变器、电机控制以及电池管理系统（BMS）等。由于其高耐压能力和低导通损耗，该器件也常用于太阳能逆变器和电动车充电模块等新能源领域。此外，在需要快速开关响应的PWM控制电路中，FCPF13N60N也能提供稳定的性能表现。
FQP13N60C、IRFBC40、STP12N60DM2、SiHP06N60ED
