类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤3.5mΩ @ Vgs=10V
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

SJE2938 功率 MOSFET 的主要特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其低导通电阻使得在高电流条件下也能保持较低的电压降，从而减少发热并提高能效。
　　此外，该器件具备高电流承载能力，额定连续漏极电流为 120A，适用于需要高功率输出的应用场景。这种能力使得 SJE2938 在电机驱动、大功率 DC-DC 转换器和电池管理系统中表现出色。
　　该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和散热性能，采用 TO-263（D2PAK）封装形式，有助于在高负载条件下有效散热，从而提高器件的可靠性和寿命。
　　在电气特性方面，SJE2938 的栅源电压最大为 ±20V，使其能够在较宽的驱动电压范围内稳定工作，同时具备良好的抗过压能力。其开关速度快，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸和成本。
　　封装方面，SJE2938 使用表面贴装（SMD）封装技术，便于自动化生产和 PCB 布局，同时也有利于热管理和空间利用。

SJE2938 主要用于需要高电流和低导通损耗的功率电子设备中。常见的应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及电源管理模块。在汽车电子中，该器件可用于车载充电系统、起停系统以及电动助力转向系统等。此外，它也适用于工业自动化设备中的功率控制单元和电源模块。由于其高性能和可靠性，SJE2938 也被广泛用于消费类电子产品中的高功率输出部分，如大功率移动电源和高亮度 LED 照明驱动电路。

SiR3442AD-SiR3442AD-T1-GE3, IRF1324S-7PPBF, SQJA40EP, IPB017N03LA