时间：2025/8/24 10:39:55
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G12N60C3是一款由英飞凌（Infineon）推出的高性能功率MOSFET晶体管，属于OptiMOS?系列。该器件专为高效电源转换和功率管理应用设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和高开关速度的特点，适用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关和电源管理系统等场合。G12N60C3采用PG-TDSON-8封装形式，具备优异的热管理和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值4.5mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：PG-TDSON-8（也称为Power-TDSON或SuperSO8）
G12N60C3具有多项优异特性，使其在高功率密度和高效率电源设计中表现出色。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在VGS=10V条件下，RDS(on)最大仅为4.5mΩ，非常适合大电流应用场景。
其次，该MOSFET采用先进的封装技术，具备良好的散热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。PG-TDSON-8封装不仅体积小巧，还具备较高的电流承载能力和热稳定性，适合空间受限的设计需求。
此外，G12N60C3具备快速开关能力，其开关损耗较低，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动损耗，提高整体系统效率。
安全性和可靠性方面，G12N60C3支持宽范围的栅极电压（±20V），并具备良好的短路和过温保护能力。其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种恶劣工作环境。
最后，该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，符合现代电子设备对环保材料的要求。
G12N60C3广泛应用于各类高效率电源系统中。其主要应用场景包括：同步整流型DC-DC转换器、服务器电源、电池管理系统、电动工具、工业电源、负载开关、电源分配系统、电机驱动器以及高性能计算设备中的功率管理模块。在同步整流拓扑中，G12N60C3能够显著降低导通损耗，提升转换效率；在电池管理系统中，该器件可作为主开关或均衡开关，实现高效能的充放电控制；在电机驱动器中，其快速开关能力和低导通电阻有助于提高电机响应速度和运行效率。此外，G12N60C3也适用于高功率密度的电源模块设计，如通信电源、工业自动化电源以及电动汽车充电模块等。
BSC120N06NS5AGMA1, BSC080N06NS5AGMA1, IPB120N06S4-03, FDS6680, SiR120DP
