时间：2025/8/17 3:28:29
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CJD04N60 是一款由国产厂商生产的N沟道增强型高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、LED照明及各类功率电子设备中。该器件采用TO-220或TO-252等常见封装形式，具备良好的热稳定性和较高的可靠性，适用于中高功率应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：600V
最大漏极电流(ID)：4A
导通电阻(RDS(on))：≤2.5Ω @ VGS=10V
栅极阈值电压(VGS(th))：2~4V
最大耗散功率(PD)：50W
工作温度范围：-55℃~150℃
CJD04N60 MOSFET具有优异的导通性能和快速开关特性，能够在高电压和中等电流条件下稳定工作。其导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持性能，适合在恶劣环境条件下使用。
CJD04N60 的栅极驱动电压范围适中，通常在10V左右即可实现充分导通，便于与常见的驱动电路匹配。其封装设计有助于良好的散热，延长器件使用寿命。此外，该MOSFET具备较强的抗过载和短路能力，提高了系统的可靠性和安全性。
CJD04N60 广泛应用于多种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、LED驱动电源、电机控制器、逆变器、充电器、工业自动化控制系统以及家用电器中的功率控制模块。由于其具备较高的电压承受能力和良好的导通特性，该器件特别适用于需要600V耐压、4A电流能力的中等功率应用场合。
CJD04N60 可以使用以下型号进行替代：TK11A60D、2SK2141、2SK2545、FQP4N60C、IRF740、STP4NK60Z等。这些型号在电气特性和封装形式上与CJD04N60相近，但在具体应用中需根据电路设计和工作条件进行验证。
