时间：2025/6/11 11:41:00
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FV56X682K202EFG 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和高开关速度。该器件广泛应用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及各种需要高效功率控制的场景。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，其封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的散热性能和紧凑的设计，使其非常适合空间受限的应用环境。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：1500pF
工作结温范围：-55℃ to +175℃
封装类型：TO-252（DPAK）
1. 极低的导通电阻使得功率损耗显著降低，提高整体效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场合。
3. 强大的雪崩能量承受能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 内置反向二极管，简化电路设计并减少外部元件数量。
5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
6. 在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
2. 直流-直流转换器的核心功率元件。
3. 各类电机驱动电路中的电子开关。
4. 汽车电子系统中的负载控制。
5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
6. 充电器及适配器中的高效功率管理解决方案。
FV56X682K201EFG, FV56X683K202EFG, IRF540N
