时间：2025/4/24 14:47:33
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FQU7P20是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用QFN封装，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高效率并减少发热。
该MOSFET的耐压能力为70V，适用于中低压应用场景，例如消费电子设备、汽车电子以及工业控制等。其低栅极电荷设计使其在高频开关应用中表现优异。
最大漏源电压(Vds)：70V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：20A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
栅极电荷(Qg)：30nC
总电容(Ciss)：1260pF
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻Rds(on)，仅为4.5mΩ，能够有效降低导通损耗，提高整体效率。
2. 高效的热性能，得益于QFN封装形式，能够更好地将热量传导到PCB上。
3. 快速开关能力，适合高频应用环境。
4. 耐雪崩能力和高可靠性，在极端条件下仍能保持稳定工作。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC/DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 汽车电子系统中的负载切换和电机驱动。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器、手机充电器等中的高效功率转换组件。
FQP27P06,
FDP5802,
IRLZ44N
