时间：2025/4/28 16:39:21
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NGTB10N60R2DT4G 是一款由 Nexperia（原恩智浦半导体分立器件部门）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 DPAK (TO-252) 封装，适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他功率管理应用。其额定电压为 60V，具有低导通电阻和快速开关特性，适合需要高效能和高可靠性的电路设计。
这款功率 MOSFET 的主要特点是低导通电阻 RDS(on)，能够显著减少传导损耗，同时具备较低的栅极电荷 Qg，有助于提高开关频率并降低开关损耗。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：10A
导通电阻 RDS(on)：2.7mΩ（在 VGS=10V 时）
栅极电荷 Qg：28nC
总电容 Ciss：1390pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DPAK (TO-252)
NGTB10N60R2DT4G 具有以下关键特性：
1. 额定电压为 60V，适用于中低压功率转换场景。
2. 极低的导通电阻 RDS(on)，仅为 2.7mΩ（典型值），能够在高电流条件下有效降低功率损耗。
3. 栅极电荷 Qg 较小，为 28nC，确保了快速开关性能和高频应用能力。
4. 支持高达 10A 的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
5. 工作温度范围宽广，从 -55℃ 到 +175℃，适应各种恶劣环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于使用在现代电子产品中。
7. DPAK (TO-252) 封装提供良好的散热性能和机械强度。
NGTB10N60R2DT4G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
3. 各种负载切换和保护电路。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
5. 汽车电子系统中的功率管理模块。
6. 工业自动化设备中的功率转换和驱动部分。
由于其出色的电气特性和可靠性，该器件成为许多功率转换和驱动应用的理想选择。
NTBG10N60L2DT4G, IRF540N
