时间：2025/6/25 9:24:33
阅读：5
FV31X472K202EEQ 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为表面贴装类型，便于自动化生产和散热设计。这款MOSFET特别适用于需要高效能转换和严格温控的应用场景。
型号：FV31X472K202EEQ
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：40mΩ
总功耗(Ptot)：320W
工作温度范围(Ta)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-3
FV31X472K202EEQ具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高耐压能力，能够承受高达650V的漏源电压，适用于高压环境。
3. 快速开关特性，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 强大的电流承载能力，额定连续漏极电流高达40A，满足大功率需求。
5. 出色的热稳定性，能够在极端温度范围内可靠运行。
6. 封装设计优化散热性能，确保长时间稳定工作。
7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
FV31X472K202EEQ广泛应用于多种领域：
1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的功率级元件。
2. 工业设备中的电机驱动和逆变器电路。
3. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
4. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)和电机控制器。
5. 高效照明系统如LED驱动器中的关键组件。
6. 各类工业自动化设备中的功率控制单元。
FV31X472K201EEQ, FV31X472K203EEQ
