SMBV1008LT1是一种基于齐纳二极管原理的瞬态电压抑制器(TVS),主要用于电路中的过电压保护。该器件采用SMB封装形式,具有快速响应时间、高浪涌吸收能力和低电容特性,适用于各种电子设备中的瞬态电压抑制应用。其典型应用场景包括交流线路保护、负载突降保护以及数据线接口保护等。
额定电压:10V
峰值脉冲电流:86A
最大箝位电压:15.9V
反向漏电流:1μA(最大值,@VR=10V)
结电容:20pF(典型值)
响应时间:1ps(典型值)
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:SMB
SMBV1008LT1具备快速响应特性,能够有效抑制由雷击、ESD(静电放电)、电感负载开关或其他原因引起的瞬态电压尖峰。其峰值脉冲电流高达86A,能够在短时间内吸收较大的浪涌能量而不损坏。此外,该器件的低电容设计使其非常适合高频信号线路保护,同时其紧凑的SMB封装也便于在空间受限的应用中使用。
该TVS二极管还具有较高的可靠性,在极端温度范围内仍能保持稳定的性能。通过将箝位电压控制在较低水平,SMBV1008LT1可以有效保护后端敏感电子元件免受过压损害。
SMBV1008LT1广泛应用于消费类电子产品、工业设备和汽车电子领域中的过压保护场景。例如,在电源输入端口、通信接口(如RS-232、USB等)以及传感器信号线中提供瞬态电压抑制功能。此外,它还可以用于电机驱动电路中的负载突降保护,防止因电感性负载切换而导致的电压尖峰对系统造成破坏。
P6KE10A, SMBJ10A, SM6T10A