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STP26NM60N 发布时间 时间:2025/5/28 12:04:57 查看 阅读:23

STP26NM60N是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,适用于高电压和高电流应用场合。其主要特点是低导通电阻、快速开关速度以及良好的热性能。这使得STP26NM60N非常适合于开关电源、电机驱动器、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的电路中。
  STP26NM60N的最大漏源极电压为600V,具有较高的耐压能力,能够承受瞬态高压脉冲,同时在额定工作条件下表现出较低的功耗。

参数

最大漏源极电压:600V
  最大栅源极电压:±20V
  最大漏极电流:9.5A(@25°C),4.8A(@100°C)
  导通电阻:3.5Ω(典型值,@Vgs=10V)
  总功耗:115W
  结温范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220

特性

STP26NM60N是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有以下显著特点:
  1. 高电压处理能力,适合高压应用环境。
  2. 低导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  3. 快速开关速度,支持高频操作,降低开关损耗。
  4. 良好的热性能,保证了长时间稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠性高。
  6. 封装坚固耐用,便于散热设计及安装。
  这些特性使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择,尤其在需要高效功率转换和可靠性的场合。

应用

STP26NM60N广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计,包括AC-DC和DC-DC转换器。
  2. 各种电机驱动器,例如步进电机和无刷直流电机控制。
  3. 电池充电器,提供高效的能量传输。
  4. 照明系统中的电子镇流器和LED驱动器。
  5. 工业自动化设备中的继电器和固态开关。
  6. 电动汽车和混合动力汽车的动力管理系统。
  由于其出色的电气特性和可靠性,STP26NM60N是众多功率应用的理想解决方案。

替代型号

STP26NF60, IRF540N

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STP26NM60N参数

  • 其它有关文件STP26NM60N View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列MDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C165 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1800pF @ 50V
  • 功率 - 最大140W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 工具箱497-8013-KIT-ND - KIT HIGH POWER MOSFET 12VALUES
  • 其它名称497-9064-5