时间：2025/8/5 16:20:02
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FSS100-008A 是一款由 STMicroelectronics 生产的场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频率开关应用。该器件采用先进的超级结技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适合用于功率转换器、电源管理模块和DC-DC转换器等场合。FSS100-008A 采用 TO-220FP 封装，具备良好的散热性能，确保在高功率操作下的稳定性。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：800V
最大漏极电流（Id）：10A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.8Ω（最大）
最大功耗（Ptot）：75W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220FP
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.1V 至 3.5V
漏极-源极击穿电压：800V
栅极电荷（Qg）：60nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1200pF（典型值）
FSS100-008A MOSFET 采用超级结结构，显著降低了导通损耗，同时保持了快速开关特性。其低Rds(on)特性使得在高电流应用中产生的热量更少，提高了系统效率和可靠性。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高功率密度环境下长时间工作而不发生热失效。FSS100-008A 的栅极驱动要求较低，适用于各种类型的驱动电路，并且在硬开关和软开关拓扑中均表现出色。该器件还具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在异常工作条件下的稳健性。此外，其TO-220FP封装设计便于安装散热片，进一步提升散热效率。
FSS100-008A 适用于多种功率电子设备，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制电路、电池充电器和工业自动化设备中的功率开关。此外，该器件也可用于家用电器中的电源管理模块以及光伏逆变器等新能源应用。
STF10N80, FQP10N80C, IRF840
