IXGH10N300 时间：2025/8/6 9:32:09 阅读：16

IXGH10N300是一款高功率、高耐压的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司生产。该器件设计用于高效率的功率转换和开关应用，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。IXGH10N300适用于工业电源、UPS（不间断电源）、电机驱动器以及可再生能源系统（如太阳能逆变器）等高功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏源电压（VDS）：300V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.32Ω（典型值）
　　最大功耗（PD）：400W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXGH10N300具有多项优良特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件的高耐压能力（300V）使其适用于中高压功率转换应用，具备良好的电压裕量。此外，IXGH10N300采用先进的平面技术制造，确保了器件在高频率开关操作下的稳定性和可靠性。
　　该MOSFET还具有良好的热稳定性，封装设计支持高效的散热能力，使其在高功率工作条件下仍能保持较低的结温。其±20V的栅极电压耐受能力增强了抗过压和噪声干扰的能力，提高了器件在复杂工作环境下的可靠性。此外，IXGH10N300具备快速开关特性，适用于高频开关电源和DC-DC转换器，有助于减小外围电路的体积并提升系统响应速度。

应用

IXGH10N300广泛应用于各种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动控制、太阳能逆变器、电池管理系统以及工业自动化设备。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热性能，该器件特别适合用于需要高效能和高稳定性的功率转换场合。例如，在太阳能逆变器中，IXGH10N300可用于DC-AC转换电路，实现高效能的能量转换；在工业电源中，它可用于主开关或同步整流电路，提高系统效率并减少散热需求。