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GA1210A181KXBAT31G 发布时间 时间:2025/5/28 17:52:03 查看 阅读:12

GA1210A181KXBAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率控制的场景。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
  该型号属于沟道型 MOSFET 系列,优化了在高频工作条件下的效率和可靠性。其封装形式通常为表面贴装类型,便于自动化生产和散热管理。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻:18mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关时间:典型值 t_on=15ns, t_off=30ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1210A181KXBAT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著降低传导损耗,提高整体效率。
  2. 高速开关性能,适用于高频应用场景,减少开关损耗。
  3. 优异的热稳定性,确保在极端温度条件下仍能保持可靠的性能。
  4. 小型化封装设计,节省 PCB 空间,同时支持高效的热管理。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足全球市场的准入要求。
  6. 内置静电防护机制,增强了器件的鲁棒性,减少了外部保护元件的需求。

应用

这款功率 MOSFET 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器中作为高频开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级开关。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 汽车电子系统中的电源管理和驱动控制。
  6. LED 驱动器和电池管理系统中的功率调节组件。

替代型号

GA1210A181KXBAT31G, IRFZ44N, FQP17N12, STP10NK120Z

GA1210A181KXBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容180 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-