时间：2025/9/13 22:35:11
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771-BUK9K134-100EX 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）元件。该型号属于该公司广受欢迎的PowerMOS系列，专为高效能功率管理应用而设计。771-BUK9K134-100EX 采用了先进的沟槽技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高功率密度，非常适合用于需要高效率和紧凑设计的电源系统中。其封装形式为D2PAK，便于散热并适合高功率密度的设计需求。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：130A
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为5.3mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
771-BUK9K134-100EX 具备多项卓越特性，使其在多种功率应用中表现优异。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。其次，该器件采用了高可靠性的封装设计，具有良好的热管理和散热性能，适用于高功率密度的设计。此外，771-BUK9K134-100EX 还具备出色的短路耐受能力和过温保护性能，确保在极端工况下依然稳定运行。其高栅极电荷（Qg）特性使其适用于高频开关应用，减少了开关损耗并提高了响应速度。此外，该MOSFET具有优异的雪崩能量耐受能力，能够在负载突变或短路情况下保持稳定工作，增强了系统的可靠性和安全性。
771-BUK9K134-100EX 主要用于需要高电流、高效率和高可靠性的电源管理系统。典型应用包括DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统（BMS）、汽车电子（如电动车辆的功率逆变器和充电系统）、工业电源、服务器电源、不间断电源（UPS）以及各类高功率负载开关。其高耐压和高电流能力也使其非常适合用于电动工具、无人机和机器人等高功率便携设备。
STP150N10F7AG, IRLR2905ZPBF, FDS6680, IPB013N10N3 G
