时间：2025/5/10 12:24:35
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LQG15HS1N0B02D 是一款由 Rohm 公司生产的功率 MOSFET 芯片，采用 LFPAK8 封装形式。该芯片主要用于高效率电源转换和电机驱动等应用领域。其低导通电阻和出色的开关性能使得它在需要高效能、低功耗的电路设计中表现出色。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：16A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷：29nC
开关时间：ton=9ns，toff=17ns
工作温度范围：-55℃至175℃
LQG15HS1N0B02D 具有超低导通电阻，能够有效降低导通损耗并提高整体效率。
其先进的封装技术提高了散热性能，适合高温环境下的应用。
同时，该器件具备快速开关速度，可以减少开关损耗，在高频操作条件下表现尤为突出。
此外，内置 ESD 保护功能增强了芯片的可靠性和抗干扰能力。
这款功率 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载点电源 (POL)、同步整流电路以及小型电机驱动等领域。
由于其低导通电阻和高效的开关性能，LQG15HS1N0B02D 也适用于高性能计算设备、通信基础设施和工业自动化设备中的电源管理部分。
此外，它还能够满足电动汽车充电系统和太阳能逆变器等对高效率要求较高的应用场景需求。
LQG15HS1N0B01D
LQG15HS1N0B03D
