类型：双极型晶体管（BJT）阵列
　　晶体管数量：4个独立晶体管
　　晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　封装类型：14引脚 SOIC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

QPQ1214SR是一款高性能的晶体管阵列，其主要特性包括高集成度、优异的高频响应和良好的热稳定性。该器件集成了4个独立的NPN型晶体管，每个晶体管都具有相同的电气特性，确保了在多路信号处理和并行控制应用中的一致性。晶体管的VCEO为30V，最大集电极电流为100mA，使其适用于中等功率的信号放大和开关控制任务。
　　QPQ1214SR采用了先进的硅基制造工艺，具备良好的温度稳定性，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内可靠工作，适用于工业级和汽车电子应用。该器件的增益带宽积（fT）达到100MHz，支持高频信号处理，适用于射频放大、振荡器和高速开关电路。
　　此外，QPQ1214SR采用14引脚SOIC封装，节省空间且便于表面贴装工艺（SMT）制造，提高了电路板的可靠性和生产效率。该器件的低饱和压降和快速开关特性使其在数字逻辑电路、驱动电路和接口电路中表现出色。

QPQ1214SR广泛应用于多种电子系统，包括通信设备、工业自动化、消费电子和汽车电子。在通信系统中，它可以用于射频信号放大和调制解调电路。在工业自动化领域，QPQ1214SR常用于传感器信号调理、继电器驱动和逻辑控制电路。
　　在消费电子产品中，该器件可用于音频放大、电源管理、LED驱动等应用场景。其高集成度和一致性使其成为多通道信号处理和并行控制的理想选择。在汽车电子方面，QPQ1214SR适用于车载传感器接口、执行器控制和车身电子模块，其宽温度范围和高可靠性满足了汽车环境的严苛要求。

ULN2003A, QPN1214, QPQ1213SR