时间：2025/10/6 17:16:37
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UVR0J223MRD6 是由 Vishay Siliconix 生产的一款 N 通道沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关控制以及负载切换等电路中。该器件采用先进的沟槽技术制造，具备低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适合在紧凑型电子设备中使用。UVR0J223MRD6 的封装形式为双扁平无引脚 (DFN) 封装，尺寸小巧，便于在空间受限的应用场景中实现高密度布局。其设计目标是提供高性能的功率开关能力，同时降低整体系统功耗。该器件符合 RoHS 环保标准，并支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造。此外，UVR0J223MRD6 具备优良的栅极氧化层可靠性，能够承受较高的栅源电压冲击，提升了系统的长期运行稳定性。
型号：UVR0J223MRD6
类型：MOSFET
极性：N 沟道
漏源电压(Vdss)：20V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：8.5A
脉冲漏极电流(Id@pulse)：30A
导通电阻(Rds(on))：最大 22mΩ @ Vgs=4.5V
导通电阻(Rds(on))：最大 28mΩ @ Vgs=2.5V
阈值电压(Vgs(th))：典型值 0.8V，范围 0.6V ~ 1.2V
输入电容(Ciss)：典型值 730pF @ Vds=10V
输出电容(Coss)：典型值 260pF @ Vds=10V
反向恢复时间(Trr)：典型值 12ns
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装/外壳：DFN2020D-6
安装类型：表面贴装(SMT)
UVR0J223MRD6 采用先进的沟槽栅极工艺技术，显著降低了导通电阻 Rds(on)，从而在高电流应用中有效减少功率损耗，提升整体能效。其最大 Rds(on) 在 Vgs = 4.5V 条件下仅为 22mΩ，在低电压驱动条件下仍能保持优异的导通性能，适用于电池供电设备或低压 DC-DC 转换器中的同步整流与负载开关应用。该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使得开关速度更快，动态响应更佳，有助于减小开关损耗并提高电源转换效率。
此外，UVR0J223MRD6 的阈值电压典型值为 0.8V，允许使用低电压逻辑信号直接驱动，兼容 1.8V、2.5V 和 3.3V 数字控制器输出，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。器件具备良好的热稳定性，其封装采用高效散热设计，能够在有限的空间内有效传导热量，防止局部过热导致性能下降或失效。DFN2020D-6 封装不仅体积小（2mm x 2mm x 0.65mm），还具备优异的电气隔离性和机械强度，适合自动化贴片生产流程。
该 MOSFET 还内置了体二极管，具有一定的反向电流承载能力，适用于需要续流路径的拓扑结构，如 H 桥驱动或电机控制电路。其反向恢复时间 Trr 典型值为 12ns，表明其体二极管具有较快的恢复特性，可减少反向恢复过程中产生的尖峰电压和电磁干扰，有利于提升系统可靠性。器件的工作结温范围可达 +150°C，确保在高温环境下依然稳定运行，适用于工业控制、便携式设备及汽车电子等多种严苛应用场景。
UVR0J223MRD6 主要用于需要高效、小型化功率开关的场合。常见应用包括移动设备中的电源管理单元（PMU），例如智能手机和平板电脑内的电池充放电控制、LCD 背光驱动电路以及各类负载开关模块。由于其低导通电阻和快速开关特性，该器件也广泛应用于同步降压变换器（Buck Converter）中作为下管（Low-side Switch）或上管（High-side Switch），以实现高效率的直流电压转换。此外，在分布式电源系统、FPGA 或 DSP 的辅助电源供电电路中，UVR0J223MRD6 可用于精确控制各路电源的开启与关闭时序，保障系统安全启动。
在便携式医疗设备、可穿戴电子产品和物联网终端中，该 MOSFET 因其微型封装和低静态功耗优势而备受青睐，有助于延长电池续航时间。同时，它也可用于热插拔控制器、USB 电源开关、DC 马达驱动以及继电器替代方案中，实现固态开关功能，避免机械触点带来的磨损与噪声问题。在工业自动化领域，UVR0J223MRD6 可作为传感器模块或执行器的驱动元件，提供可靠的信号通断控制。此外，因其具备较强的抗干扰能力和温度适应性，该器件还可应用于车载信息娱乐系统、ADAS 辅助系统的小功率电源管理部分，满足汽车电子对可靠性的严格要求。
SI2302DDS-T1-E3
AOZ5211PI
DMG2302UK
