时间：2025/6/5 19:02:27
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FS21X475K100EIG 是一款高性能的场效应晶体管（FET），专为高频和高效率应用场景设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能，适用于多种电力电子应用领域。
这款芯片的主要特点在于其优化的电气特性和可靠性，使其能够承受较高的电压和电流负载，同时保持较低的能量损耗。其封装形式也经过精心设计，以确保在紧凑的空间内实现高效散热。
型号：FS21X475K100EIG
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：47A
脉冲漏极电流(Ip)：160A
导通电阻(Rds(on))：4.7mΩ
栅极电荷(Qg)：95nC
开关时间：开启时间(t(on)) 30ns，关闭时间(t(off)) 18ns
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247-3L
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低功率损耗。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境。
3. 出色的热稳定性，能够在高温条件下长期可靠运行。
4. 强大的浪涌电流处理能力，提高系统鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 紧凑型封装设计，有助于减少电路板空间占用，同时保证高效的散热性能。
7. 广泛的工作温度范围，适应恶劣环境下的应用需求。
FS21X475K100EIG 广泛应用于各类高效率电力转换和控制场景中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电机驱动和逆变器模块，用于工业自动化和家用电器。
3. 太阳能逆变器和风力发电系统中的功率调节单元。
4. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的牵引逆变器及电池管理系统。
5. LED 照明驱动电路，提供高效稳定的电流输出。
6. DC-DC 转换器，实现高效的电压变换功能。
FS21X475K100EIGG, IRFP260N, STP100NF10
