FS21X475K100EIG 是一款高性能的场效应晶体管(FET),专为高频和高效率应用场景设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能,适用于多种电力电子应用领域。
这款芯片的主要特点在于其优化的电气特性和可靠性,使其能够承受较高的电压和电流负载,同时保持较低的能量损耗。其封装形式也经过精心设计,以确保在紧凑的空间内实现高效散热。
型号:FS21X475K100EIG
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):47A
脉冲漏极电流(Ip):160A
导通电阻(Rds(on)):4.7mΩ
栅极电荷(Qg):95nC
开关时间:开启时间(t(on)) 30ns,关闭时间(t(off)) 18ns
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装形式:TO-247-3L
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可显著降低功率损耗。
2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
3. 出色的热稳定性,能够在高温条件下长期可靠运行。
4. 强大的浪涌电流处理能力,提高系统鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
6. 紧凑型封装设计,有助于减少电路板空间占用,同时保证高效的散热性能。
7. 广泛的工作温度范围,适应恶劣环境下的应用需求。
FS21X475K100EIG 广泛应用于各类高效率电力转换和控制场景中,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 电机驱动和逆变器模块,用于工业自动化和家用电器。
3. 太阳能逆变器和风力发电系统中的功率调节单元。
4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的牵引逆变器及电池管理系统。
5. LED 照明驱动电路,提供高效稳定的电流输出。
6. DC-DC 转换器,实现高效的电压变换功能。
FS21X475K100EIGG, IRFP260N, STP100NF10