类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：80A
　　最大导通电阻（RDS(on)）：1.8mΩ（在VGS=10V时）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　安装类型：表面贴装

AFN1443S32RG MOSFET 具备多项优异特性，适用于高要求的功率应用。其低导通电阻（RDS(on)）为 1.8mΩ，能够在高电流下保持较低的导通损耗，从而提升系统的整体效率。此外，该器件支持高达 80A 的连续漏极电流，使其在高负载应用中表现出色。
　　其 PowerFLAT 5x6 封装具有出色的热性能，能够有效散热，确保器件在高温环境下依然稳定运行。此外，该封装形式支持表面贴装工艺，便于自动化生产并提高 PCB 的空间利用率。
　　AFN1443S32RG 的栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容常见的 10V 和 12V 驱动电路，具备良好的驱动兼容性。其最大功耗为 200W，在高功率密度设计中具有良好的适应性。
　　该器件的宽工作温度范围（-55°C ~ 175°C）使其适用于极端环境条件下的应用，例如汽车动力系统、工业自动化设备以及高可靠性电源系统。此外，其抗雪崩能力较强，可有效防止因电压突变导致的器件损坏，提高系统可靠性。

AFN1443S32RG 广泛应用于多种高功率电子系统中。在汽车电子领域，该器件可用于电机控制、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）等关键模块，提供高效、稳定的功率开关功能。
　　在工业自动化和电机控制领域，AFN1443S32RG 可作为直流电机驱动、伺服电机控制和工业逆变器中的核心功率器件，满足高电流、高效率的开关需求。
　　此外，该器件也适用于电源管理领域，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池保护电路等，能够显著提升电源转换效率并降低系统损耗。
　　由于其良好的热稳定性和高可靠性，AFN1443S32RG 也常用于不间断电源（UPS）、储能系统和太阳能逆变器等对系统稳定性要求极高的应用场合。

STL140N10F7, IPP140N10S4-03, IRF1404Z