最大正向电流：200mA
　　最大反向峰值电压：40V
　　正向压降（@200mA）：最大0.55V
　　反向漏电流（@40V）：最大100nA
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOD-123

1N4465TR具有以下主要特性：
　　首先，该器件采用了肖特基势垒技术，使得正向压降显著低于传统的硅整流二极管。在200mA的正向电流下，其最大正向压降仅为0.55V，这有助于降低功耗并提高效率，非常适合在电池供电设备和节能系统中使用。
　　其次，1N4465TR具有非常快的开关速度，反向恢复时间（trr）极短，通常在几纳秒以内。这一特性使其非常适合用于高频整流和高速开关电路中，例如DC-DC转换器、开关电源以及高频检波电路等。
　　此外，1N4465TR的SOD-123封装体积小巧，便于在紧凑的PCB布局中使用，同时该封装也具备良好的散热性能，能够承受一定的功率负荷。器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种工业级和消费级应用场景。
　　该二极管还具有较低的反向漏电流，最大为100nA（在40V反向电压下），从而减少了在高温或高压环境下的漏电流影响，提升了电路的稳定性。
　　综上所述，1N4465TR是一款性能优良、可靠性高的肖特基二极管，广泛应用于现代电子设备中的电源管理和信号处理电路。

1N4465TR广泛应用于多种电子电路和系统中，主要作为高频整流器、电压钳位器、极性保护器以及反向电流阻断器等。例如，在电源管理电路中，1N4465TR可用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）以及电池充电电路，其低正向压降和快速恢复特性有助于提高整体效率并减少热量产生。
　　此外，该器件也常用于数字电路中的信号钳位和ESD保护，防止瞬态电压对敏感的集成电路造成损害。在射频（RF）和通信设备中，1N4465TR可用于检波电路和信号整流，其快速开关特性使其能够适应高频信号处理需求。
　　在汽车电子系统中，如车载充电器、LED照明驱动电路和传感器接口电路中，1N4465TR也能提供稳定可靠的性能。同时，该器件也适用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和便携式音频设备等，用于电源管理、电压检测和极性反转保护等应用。

1N5817, 1N5819, RB551V-30, BAT54, BAS40-04