时间：2025/7/25 5:45:42
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IXFB82N60P是一款由IXYS公司制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种高功率电子设备和系统中。该MOSFET具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻，适用于需要高效能和高可靠性的应用。IXFB82N60P采用TO-247封装形式，便于散热和集成。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：82A
导通电阻（Rds(on)）：0.082Ω
栅极阈值电压（Vgs(th)）：4.5V至7.0V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXFB82N60P MOSFET以其卓越的电气特性和可靠性而著称。其主要特性包括：
1. 高电流承载能力：由于其设计和封装形式，IXFB82N60P能够承载高达82A的连续漏极电流，这使得它适用于高功率应用。
2. 低导通电阻：导通电阻仅为0.082Ω，这降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。
3. 高电压能力：漏源电压额定值为600V，使得该MOSFET适用于需要高电压操作的场合。
4. 快速开关特性：IXFB82N60P具有快速的开关速度，这减少了开关损耗并提高了工作效率。
5. 热性能优越：TO-247封装提供了良好的散热性能，确保在高负载下仍能保持稳定的工作温度。
6. 高可靠性：IXYS公司以其高品质的功率半导体器件而闻名，IXFB82N60P在设计上确保了长期工作的稳定性和可靠性。
IXFB82N60P MOSFET常用于以下应用：
1. 电源转换器和逆变器：由于其高电流和高电压能力，IXFB82N60P非常适合用于DC-DC转换器、AC-DC电源和逆变器系统。
2. 电机驱动：在工业自动化和电机控制领域，该MOSFET能够提供稳定的电流输出，确保电机运行的高效性和可靠性。
3. 不间断电源（UPS）：IXFB82N60P的快速开关特性和低导通电阻使其成为UPS系统中的理想选择。
4. 照明系统：在高亮度LED照明和其他需要高功率驱动的照明应用中，IXFB82N60P能够提供高效的电流控制。
5. 电池管理系统：在电动汽车和储能系统中，该MOSFET可用于电池充放电控制，确保电池系统的安全和高效运行。
STP80N60WP, FCP80N60E
