时间：2025/9/14 20:51:35
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BUK7Y14-80EX 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于中高功率应用。该器件采用先进的Trench工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和出色的热稳定性，适用于电源转换、电机控制、照明系统及汽车电子等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：14A
最大漏-源电压（VDS）：80V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大为8.5mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（Ptot）：50W
封装形式：TO-220AB
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
BUK7Y14-80EX 采用了NXP先进的Trench MOSFET技术，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），在10V栅极驱动电压下最大仅为8.5mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。该器件具有较高的电流承载能力和良好的热管理性能，能够在高温环境下稳定工作。
此外，BUK7Y14-80EX 具备较高的雪崩能量承受能力，增强了其在高压和高电流应用中的可靠性和耐用性。其栅极结构设计优化了开关性能，减少了开关损耗，并提升了抗干扰能力。TO-220AB封装形式提供了良好的散热性能，适用于多种PCB安装方式。
该MOSFET还具备良好的线性工作区特性，适合用于线性稳压器和负载开关等应用。同时，其±20V的栅极电压耐受能力使其适用于多种栅极驱动电路，增强了设计的灵活性。
BUK7Y14-80EX 主要应用于电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及工业控制设备。由于其优异的导通特性和高可靠性，它也非常适合用于汽车电子系统中的高功率开关应用，如车载充电器、电动助力转向系统和LED照明驱动器。
在可再生能源系统中，该器件可应用于太阳能逆变器和风力发电控制器中，以提高能量转换效率。此外，BUK7Y14-80EX 还广泛用于高功率LED照明、电池管理系统（BMS）以及服务器电源和通信设备电源模块。
IPD140N8S015A, FDP14N80, STP14NK80ZFP
