时间：2025/8/6 5:03:37
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IXGK72N60C3H1是一款由Infineon Technologies生产的高性能功率MOSFET晶体管，属于OptiMOS?系列。该器件专为高效率电源转换应用而设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和高功率密度，适用于工业电源、DC-DC转换器、服务器电源、电信设备和消费类电源适配器等场合。
类型：功率MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
漏极电流（ID）@25°C：72A
导通电阻（RDS(on)）：max 42mΩ @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：170nC（典型值）
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
技术：OptiMOS? III
IXGK72N60C3H1采用先进的OptiMOS? III技术，提供了极低的导通电阻和开关损耗，从而提高了系统效率。其高电流承载能力和出色的热性能使其适用于高功率密度设计。此外，该器件具有优化的栅极结构，有助于降低高频开关应用中的电磁干扰（EMI）。
该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，能够在严苛的工况下保持稳定运行。其封装设计有利于快速散热，提升了器件在高负载条件下的可靠性。TO-247封装形式也便于在多种电路板布局中进行安装和散热管理。
此外，IXGK72N60C3H1具有出色的耐用性和长寿命，适用于需要高可靠性的工业和通信设备。其电气特性和热特性在宽温度范围内保持稳定，确保系统在各种环境条件下都能高效运行。
IXGK72N60C3H1广泛应用于多种高功率电子系统，包括但不限于：工业电源、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、DC-DC转换器、服务器电源、电信整流器、电动车辆充电设备以及高性能消费类电源适配器等。该器件特别适用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的场合，能够显著提升系统整体能效和稳定性。
IPP75R1K0C7H1, SPW72N60CFD, IXGH72N60C3H1
