时间：2025/6/25 16:41:56
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SUD50P04-08-BE3 是一款基于硅技术的 N 沟道功率 MOSFET，专为需要低导通电阻和高效率的应用设计。该器件采用先进的制造工艺，在开关电源、电机驱动以及负载切换等应用中表现出色。
它具有较低的导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。同时，其坚固的设计使其能够承受较高的雪崩能量，增强了在恶劣环境中的可靠性。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：50A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：25nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-264
SUD50P04-08-BE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低导通损耗，提升整体效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用场合。
3. 高额定电流能力，可支持大功率负载。
4. 优异的热稳定性，能够在宽广的工作温度范围内可靠运行。
5. 内置 ESD 保护功能，提高了产品的鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代电子设备需求。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动器中的功率级控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 电池管理系统 (BMS) 的充放电路径管理。
5. 各类 DC-DC 转换器和逆变器电路。
6. 电动汽车及混合动力汽车中的辅助功率模块。
SUD50P04-08-E3
SUD50P04-08-BE
IRF540N
FDP5800
