FQU5N60C:
　　漏源电压 Vds: 600V
　　栅源电压 Vgs: ±30V
　　连续漏极电流 Id: 4.5A
　　导通电阻 Rds(on): 2.5Ω（典型值）
　　功率耗散 Pd: 50W
　　工作温度范围: -55°C ~ +150°C
　　封装形式: TO-220
　　CMU5N60:
　　漏源电压 Vds: 600V
　　栅源电压 Vgs: ±30V
　　连续漏极电流 Id: 5A
　　导通电阻 Rds(on): 2.2Ω（典型值）
　　功率耗散 Pd: 60W
　　工作温度范围: -55°C ~ +150°C
　　封装形式: TO-220

FQU5N60C 和 CMU5N60 均属于高压N沟道MOSFET，具有以下主要特性：
　　1. **高耐压能力**：两款器件的漏源击穿电压均为600V，能够承受较高的电压应力，适用于高压开关电源及功率因数校正电路。
　　2. **低导通电阻**：CMU5N60的Rds(on)为2.2Ω，FQU5N60C为2.5Ω，较低的导通电阻可减少导通损耗，提高系统效率。
　　3. **高功率耗散能力**：FQU5N60C的额定功率为50W，CMU5N60为60W，能够在较高温度下稳定工作。
　　4. **良好的热稳定性**：采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适合高功率密度应用。
　　5. **宽工作温度范围**：支持-55°C至+150°C的工作环境，适应多种工业和车载应用场合。
　　6. **栅极驱动兼容性强**：±30V的栅源电压范围允许与常见的驱动电路（如PWM控制器）直接连接，无需额外电平转换电路。

FQU5N60C 和 CMU5N60 主要应用于以下领域：
　　1. **开关电源（SMPS）**：如AC-DC适配器、电源模块、电源供应器等，作为主开关或同步整流器件。
　　2. **DC-DC转换器**：包括升压（Boost）、降压（Buck）以及反相（Inverting）转换器，用于电池供电设备或车载电子系统。
　　3. **电机驱动与控制**：适用于低功率电机驱动电路，如风扇、泵类设备等。
　　4. **电池充电器**：在充电管理系统中作为功率开关，控制电流流向和充电状态。
　　5. **工业控制设备**：如PLC、继电器驱动、负载开关等，提供高效的功率控制解决方案。
　　6. **LED照明驱动**：用于恒流驱动LED灯串，特别是在高压LED灯条或路灯系统中。

FQU5N60C: 可以考虑替代型号为FQP5N60、FQA5N60、IRFBC40等；CMU5N60: 可替换为CMU5N60F、FQA5N60C、FQP5N60等。