时间：2025/5/21 10:00:57
阅读：3
SI4948EY-T1-GE3是Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用TrenchFET? Gen III技术，具有低导通电阻和高效率的特性，适合用于各种开关应用中，例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等场景。
该芯片采用了TO-263-3封装形式（也称为DPAK），具备良好的散热性能，能够适应较为严苛的工作环境。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：38A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：175nC（典型值）
开关时间：开态时间（t_on）=22ns，关态时间（t_off）=17ns
工作结温范围：-55°C至+175°C
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高整体效率。
2. 快速开关速度，适用于高频开关应用。
3. 高电流承载能力，可以满足大功率应用需求。
4. 具备优秀的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。
5. 封装设计紧凑，节省PCB空间的同时保持良好散热性能。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器，特别是降压转换器中的主开关或同步整流开关。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 电机控制和驱动电路。
5. 各类消费类电子产品、工业设备及通信设备中的功率管理模块。
6. 可作为高效能的电子开关应用于汽车电子领域。
IRLR7843PBF, SI4846DY, FDS8667
