型号：16N55G
　　封装类型：TO-220FP
　　极性：N沟道
　　漏源电压Vds：550V
　　连续漏极电流Id：16A（@Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流Idm：64A
　　栅源电压Vgs：±30V
　　功耗Pd：125W（@Tc=25°C）
　　导通电阻Rds(on)：0.22Ω（@Vgs=10V, Id=8A）
　　阈值电压Vgs(th)：3~5V（@Id=250μA）
　　输入电容Ciss：1100pF（@Vds=25V）
　　输出电容Coss：370pF（@Vds=25V）
　　反向恢复时间trr：典型值35ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　安装方式：通孔安装

16N55G作为一款高性能N沟道MOSFET，具有多项关键特性使其适用于各种高压开关应用场景。
　　首先，该器件具备高达550V的漏源击穿电压（Vds），能够承受较高的电压应力，适用于宽范围输入电压的电源系统，如通用输入AC-DC适配器和离线式开关电源。其额定连续漏极电流可达16A，在适当的散热条件下可维持稳定的电流输出能力，满足中等功率等级的设计需求。更重要的是，它的导通电阻Rds(on)低至0.22Ω（测试条件为Vgs=10V，Id=8A），这显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高整体能效并减少发热问题。
　　其次，16N55G采用了先进的平面场截止技术（Planar Field-Stop Technology），优化了载流子分布与电场强度之间的平衡，实现了更快的开关速度和更低的开关损耗。这一特性对于高频操作尤为重要，有助于减小磁性元件体积并提升电源系统的功率密度。同时，器件内部集成了快速体二极管，反向恢复时间trr典型值仅为35ns，有效抑制了反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），增强了系统的稳定性与安全性。
　　再者，该MOSFET具有优良的热性能。TO-220FP封装不仅机械强度高，而且具备良好的热传导路径，配合散热片使用时可将结温控制在安全范围内。其最大结温达+150°C，并支持从-55°C到+150°C的宽工作温度范围，适应严苛环境下的长期运行。此外，±30V的栅源电压容限提高了对异常驱动信号的容忍度，防止因过压导致的栅极氧化层损坏。
　　最后，16N55G通过了多项国际安全与可靠性认证，符合RoHS环保标准，且具备较强的抗雪崩能量能力，能够在短时过压或负载突变情况下保持不损坏，提升了整个电子系统的鲁棒性。这些综合优势使得16N55G成为工业电源、LED驱动、光伏逆变器和家电控制模块中的优选器件之一。

16N55G主要应用于需要高效能、高电压和中等电流处理能力的电力电子系统中。常见的使用场景包括开关模式电源（SMPS），尤其是在反激式（Flyback）、正激式（Forward）和半桥拓扑结构中作为主开关管，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升转换效率并降低温升。在DC-DC变换器中，该器件可用于升压（Boost）、降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）电路，特别是在输入电压较高或输出功率较大的设计中表现出色。
　　此外，16N55G也广泛用于电机驱动系统，例如小型家电中的风扇电机、水泵控制或电动工具中的直流电机调速电路。凭借其高耐压和大电流承载能力，它可以在启停频繁、负载波动大的工况下可靠运行。在照明领域，尤其是大功率LED驱动电源中，该MOSFET常被用作PWM调光开关或恒流控制回路的核心元件，确保光线稳定且无频闪。
　　在新能源相关设备中，如太阳能微型逆变器或储能系统的充放电控制器，16N55G也能发挥重要作用。其抗雪崩能力和良好的dv/dt抗扰度使其能在电网波动或雷击浪涌等恶劣条件下保持稳定工作。另外，在工业自动化控制系统中，该器件可用于继电器替代、固态开关或加热元件的功率调节模块，实现无触点、长寿命的控制方案。
　　由于其封装形式为TO-220FP，易于手工焊接和维护，因此也适合原型开发、教学实验以及中小批量生产项目。总之，16N55G凭借其可靠的电气性能和广泛的适用性，已成为众多中高功率开关应用中的主流选择之一。

STP16NF55FP
　　STP16NF06L
　　FQA16N55
　　IRFBC40