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FQPF8N60C 发布时间 时间:2024/8/23 14:15:16 查看 阅读:125

这些N沟道增强型功率场效应晶体管是使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术生产的。这项先进技术经过特别定制,可最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。

特性说明

7.5 A,600 V,RDS(开启)=1.2Ω(最大)VGS=10 V,ID=3.75 A
  低栅极电荷(28nC型)
  低铬(12pF型)
  100%雪崩测试

技术参数

漏源极电压(Vds):600 V
  上升时间:60.5 ns
  输入电容(Ciss):965pF 25V(Vds)
  额定功率(Max):48 W
  下降时间:4.5 ns
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):48000 mW

封装参数

引脚数:3
  封装:TO-220-3

其他

产品生命周期:Active
  包装方式:Tube
  含铅标准:Lead Free

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FQPF8N60C参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.2 欧姆 @ 3.75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs36nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1255pF @ 25V
  • 功率 - 最大48W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220F
  • 包装管件