时间：2025/8/5 23:08:15
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IXFH60N80P3是一款由Littelfuse公司（前身为IXYS Corporation）设计和制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于高性能的高压MOSFET系列。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于各种高效率电源转换应用。IXFH60N80P3的工作电压为800V，最大连续漏极电流为60A，在适当的散热条件下能够提供高功率密度。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：800V
最大栅源电压（VGS）：±30V
最大漏极电流（ID）：60A（TC=25℃时）
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.12Ω（VGS=10V时）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-247
IXFH60N80P3采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。该器件的高耐压能力（800V VDS）使其适用于高电压输入环境，例如工业电源、太阳能逆变器和电动汽车充电系统。
此外，IXFH60N80P3具有快速开关特性，能够有效降低开关损耗，提升系统的工作频率和效率。其TO-247封装形式提供了良好的散热性能，确保在高功率工作条件下的稳定性和可靠性。
IXFH60N80P3广泛应用于各种高功率、高效率的电力电子系统中，包括但不限于：工业电源、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电机驱动器以及电动汽车充电设备等。
STF80N800H2, FCP80N80S3, SPW80N80S5_06
