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SEMIX303GB12T4S 发布时间 时间:2025/8/23 12:34:04 查看 阅读:3

SEMIX303GB12T4S 是由 SEMIKRON(赛米控)生产的一款功率模块,广泛应用于工业电机驱动、可再生能源系统以及电动汽车等领域。该模块采用了先进的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)技术,具备高可靠性和高效率的特点。它集成了多个IGBT器件和反向并联的二极管,构成一个完整的三相逆变器桥式结构。该模块还具备紧凑的设计和出色的热管理能力,适用于高温环境下的运行。

参数

类型:IGBT模块
  额定电压:1200V
  额定电流:300A
  拓扑结构:三相逆变器(T4)
  IGBT芯片技术:第四代沟槽栅场截止型(Field Stop)
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:双列直插式封装(DIP)
  安装方式:螺钉安装
  散热器:集成式底板散热
  绝缘材料:陶瓷基板(Al2O3)
  封装尺寸:约 155mm x 105mm x 20mm
  重量:约 500g

特性

SEMIX303GB12T4S 模块采用了先进的IGBT芯片技术,具备低导通压降和低开关损耗的特性,从而提高了整体系统的能效。其第四代沟槽栅场截止型IGBT技术显著降低了开关过程中的能量损耗,使得模块在高频工作条件下依然保持高效运行。
  此外,该模块具有优异的热管理能力。其陶瓷基板与铜底板之间的高导热性连接,确保了热量能够迅速从芯片传导至散热器,降低了热阻,从而提升了模块在高负载条件下的稳定性与寿命。
  该模块的双列直插式封装结构和集成式底板散热设计,使其在安装过程中更加简便,并且具备良好的机械稳定性。模块的绝缘性能优异,能够承受较高的工作电压和瞬态过电压,适用于各种恶劣的工业环境。
  SEMIX303GB12T4S 还具备良好的短路耐受能力,能够在突发的短路故障中保持稳定运行,防止器件损坏,从而提高了系统的可靠性。
  最后,该模块的拓扑结构为T4,意味着它是一个完整的三相逆变器模块,内部集成了三个上桥臂IGBT和三个下桥臂IGBT,以及相应的反向并联二极管,简化了外部电路的设计,提高了系统的集成度。

应用

SEMIX303GB12T4S 主要用于需要高效能功率转换的工业设备中,如伺服驱动器、变频器、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器以及电动汽车的电机控制系统等。由于其高可靠性和出色的热管理能力,它也适用于高温和高湿环境中的应用,如工业自动化系统和轨道交通设备中的电力电子系统。

替代型号

SKM300GB12T4V1, FS300R12W2T4_B11

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