PESD2V8R1BSFYL是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产的静电放电(ESD)保护二极管,专为保护敏感电子设备免受静电放电和瞬态电压的损害而设计。该器件采用小型无引脚封装(如DFN1006BD-2),适用于需要高精度和高可靠性的应用。PESD2V8R1BSFYL能够在短时间内吸收较大的瞬态电流,从而保护下游电路免受损坏。
类型:ESD保护二极管
工作电压:2.8V
最大反向工作电压(VRWM):2.8V
钳位电压(Vc):6.2V(在Ipp = 1A时)
最大峰值脉冲电流(Ipp):1A
最大反向漏电流(IR):100nA(最大值)
封装类型:DFN1006BD-2
引脚数:2
工作温度范围:-55°C 至 150°C
存储温度范围:-55°C 至 150°C
PESD2V8R1BSFYL的主要特性之一是其低工作电压设计,使其非常适合用于低压电路的保护。该器件的工作电压为2.8V,能够在不影响电路正常运行的情况下提供可靠的ESD保护。
此外,PESD2V8R1BSFYL具有非常低的反向漏电流(最大为100nA),这确保了在正常工作条件下对电路的影响最小。这对于高精度模拟电路和低功耗数字电路尤为重要。
该器件的钳位电压为6.2V(在1A的峰值脉冲电流下),这意味着它能够在ESD事件中迅速将电压限制在一个安全范围内,从而保护连接的电子元件免受损坏。钳位电压的设计确保了在不损坏器件本身的情况下,将瞬态能量有效地吸收。
另一个重要特性是其小型DFN封装(DFN1006BD-2),该封装不仅节省空间,而且适合用于高密度PCB设计。这种封装形式具有良好的热性能,有助于在高能量瞬态事件中有效地散热。
PESD2V8R1BSFYL的工作温度范围为-55°C至150°C,使其能够在极端温度条件下稳定工作,适用于工业和汽车电子等要求较高的应用环境。
最后,该ESD保护二极管具有高可靠性,能够承受多次ESD冲击而不会显著降低性能,确保了长期使用的稳定性。
PESD2V8R1BSFYL广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要保护低压电路免受静电放电影响的场合。常见的应用包括便携式电子产品(如智能手机、平板电脑和可穿戴设备)、计算机外设、消费类电子产品以及通信设备。
在智能手机和可穿戴设备中,PESD2V8R1BSFYL可用于保护USB接口、HDMI接口和其他高速数据传输线路免受ESD损害。这些设备通常使用低压电源和高精度电路,因此需要高效的ESD保护方案来确保其长期稳定运行。
此外,该器件还适用于保护工业控制系统的输入/输出端口,防止由于静电放电或瞬态电压引起的故障。在汽车电子应用中,它可以用于保护车载娱乐系统、导航系统和其他敏感电子设备。
对于高可靠性要求的应用,例如医疗设备和航空航天电子系统,PESD2V8R1BSFYL的低漏电流和高稳定性使其成为理想的ESD保护解决方案。
PESD2V8R1BSFYL的替代型号包括TI的TPD1E01BA04、STMicroelectronics的E SDA15-T1-GE1和ON Semiconductor的NUP2105L。