时间：2025/10/7 2:10:33
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UPA0J152MPD6是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极和双扩散工艺技术制造，专为高效率开关应用而设计。该器件封装在小型化的DFN2020封装中，尺寸紧凑，适用于对空间要求极为严格的便携式电子设备和高密度电源系统。UPA0J152MPD6具有低导通电阻（RDS(on)）、优异的热性能以及良好的电流处理能力，能够在有限的空间内实现高效的能量转换。其主要面向电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关电路以及电机驱动等应用场景。由于采用了无铅且符合RoHS标准的材料，该器件也满足现代电子产品对环保和可靠性的严格要求。此外，DFN2020封装具备底部散热焊盘，能够通过PCB有效散热，提升整体系统的热稳定性与长期运行可靠性。这款MOSFET工作结温范围宽，通常可达-55°C至+150°C，适合在多种环境条件下稳定工作。
型号：UPA0J152MPD6
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：15V
最大栅源电压(VGS)：±8V
连续漏极电流(ID)：2.7A
脉冲漏极电流(ID_pulse)：10A
导通电阻(RDS(on))_max：15mΩ @ VGS=4.5V
导通电阻(RDS(on))_max：19mΩ @ VGS=2.5V
阈值电压(Vth)：0.45V ~ 0.8V
输入电容(Ciss)：320pF @ VDS=7.5V
输出电容(Coss)：180pF @ VDS=7.5V
反向传输电容(Crss)：45pF @ VDS=7.5V
栅极电荷(Qg)：4.5nC @ VGS=4.5V
体二极管反向恢复时间(trr)：15ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装类型：DFN2020
引脚数：6
功耗(Pd)：1W @ TC=25°C
UPA0J152MPD6采用Rohm先进的Trench MOS工艺，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能平衡，特别适用于低电压、高效率的电源管理系统。其15mΩ的低RDS(on)在4.5V栅极驱动下显著降低了导通损耗，有助于提高DC-DC转换器和负载开关的能效表现。器件的阈值电压低至0.45V，使其能够在1.8V或3.3V逻辑电平下快速开启，兼容现代微控制器和低压控制信号。
该MOSFET的DFN2020封装不仅体积小巧（2.0mm x 2.0mm），还集成了暴露式散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至内层或背面，极大提升了热管理效率。这种封装结构减少了传统引线框架带来的寄生电感和电阻，进一步优化了高频开关性能，减少EMI干扰。
UPA0J152MPD6具备良好的雪崩耐受能力和抗浪涌电流能力，在瞬态负载变化或短路情况下表现出较高的鲁棒性。其输入电容仅为320pF，降低了驱动电路的负担，使控制器能够以更低的功耗驱动该器件，特别适合用于电池供电系统中延长续航时间。
此外，该器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，可用于车载信息娱乐系统、LED驱动模块或车身控制单元中的小功率开关应用。生产过程中采用无卤素材料和绿色封装工艺，符合工业界对环保产品的需求。Rohm提供的详细数据手册和应用指南也为设计工程师提供了充分的技术支持，便于快速完成电路设计与验证。
UPA0J152MPD6广泛应用于需要高效、小型化功率开关的各类电子系统中。典型用途包括便携式消费类电子产品中的同步整流型DC-DC降压转换器，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电源管理模块。其低导通电阻和快速响应特性使其成为理想的选择，有助于提升轻载和满载条件下的整体转换效率。
在电池管理系统中，该器件常被用作充电路径或放电路径的负载开关，实现对电池连接的精确控制，防止反向电流和过流故障。同时，也可用于USB端口的电源开关或热插拔保护电路中，提供安全可靠的电源通断功能。
在电机驱动领域，UPA0J152MPD6适用于微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中的低端开关元件，尤其适合玩具、家用电器和小型自动化设备中使用。
此外，该MOSFET还可用于LED背光驱动电路中的恒流调节开关，配合电感式升压或降压拓扑结构，实现亮度调节和节能控制。在汽车电子方面，可用于车内照明控制、传感器供电开关或ECU内部的辅助电源切换等场景。由于其小型封装和高可靠性，也适合部署于空间受限的工业传感器、IoT节点和无线通信模块中作为功率开关元件。
UPA0J152MPC6
AP2301GNTR-G1
DMG1012UFG-7
FDMC86261
Si2301DS
