时间：2025/5/26 11:38:58
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FQPF2N60是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够有效提高系统的效率和可靠性。FQPF2N60属于Fairchild（现为ON Semiconductor）公司的产品系列，其封装形式为TO-220，适用于各种高功率密度应用。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻：3.5Ω
栅极电荷：18nC
总电容：490pF
功耗：75W
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高击穿电压（600V），适合高压应用场景。
2. 低导通电阻（3.5Ω），减少导通损耗，提升系统效率。
3. 快速开关性能，有助于降低开关损耗。
4. 封装形式为TO-220，便于散热设计。
5. 良好的热稳定性和可靠性，适应恶劣环境条件。
6. 提供优异的雪崩能力，增强器件的耐用性。
FQPF2N60主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的高频开关元件。
2. DC-DC转换器的核心功率开关。
3. 各类电机驱动电路中的功率控制。
4. 逆变器和UPS系统中的功率级组件。
5. 电磁阀和其他负载的开关控制。
6. 其他需要高耐压和高效能的应用场景。
IRF640N
STP12NM60
FDP18N60
