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FQPF2N60 发布时间 时间:2025/5/26 11:38:58 查看 阅读:18

FQPF2N60是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,能够有效提高系统的效率和可靠性。FQPF2N60属于Fairchild(现为ON Semiconductor)公司的产品系列,其封装形式为TO-220,适用于各种高功率密度应用。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:1.8A
  导通电阻:3.5Ω
  栅极电荷:18nC
  总电容:490pF
  功耗:75W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

1. 高击穿电压(600V),适合高压应用场景。
  2. 低导通电阻(3.5Ω),减少导通损耗,提升系统效率。
  3. 快速开关性能,有助于降低开关损耗。
  4. 封装形式为TO-220,便于散热设计。
  5. 良好的热稳定性和可靠性,适应恶劣环境条件。
  6. 提供优异的雪崩能力,增强器件的耐用性。

应用

FQPF2N60主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的高频开关元件。
  2. DC-DC转换器的核心功率开关。
  3. 各类电机驱动电路中的功率控制。
  4. 逆变器和UPS系统中的功率级组件。
  5. 电磁阀和其他负载的开关控制。
  6. 其他需要高耐压和高效能的应用场景。

替代型号

IRF640N
  STP12NM60
  FDP18N60

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FQPF2N60参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.7 欧姆 @ 800mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最大28W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220F
  • 包装管件