类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大功耗（PD）：200 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　过渡频率（fT）：125 MHz
　　增益带宽积：125 MHz
　　封装类型：SOT-323（SC-70）

LDTA125TET1G 作为一款高频 NPN 晶体管，具备多项关键特性，使其在射频和高速模拟应用中表现出色。
　　首先，其高达 125 MHz 的过渡频率（fT）使其非常适合用于射频放大器和中频放大器。在高频应用中，晶体管的性能通常受到其内部寄生电容和载流子传输延迟的限制，而 LDTA125TET1G 的高 fT 值确保了在高频下仍能维持较高的电流增益和稳定性。
　　其次，该晶体管的最大集电极-发射极电压为 50 V，允许其在相对较高的电压环境下工作，适用于多种电源配置。同时，其最大集电极电流为 100 mA，使得它能够在中等功率输出条件下保持良好的线性度和低失真性能。
　　此外，LDTA125TET1G 采用 SOT-323（SC-70）封装，这是一种非常紧凑且广泛使用的表面贴装封装形式，适用于高密度 PCB 设计。该封装不仅节省空间，还具有良好的热管理和高频信号传输性能。
　　该器件的工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，符合工业级温度标准，适用于各种严苛环境下的应用，如汽车电子、航空航天和户外通信设备等。
　　最后，LDTA125TET1G 在设计上优化了噪声系数，使其成为低噪声放大器（LNA）的理想选择。在射频接收链中，LNA 是最关键的部分之一，要求晶体管具有低噪声、高增益和良好匹配性能，而 LDTA125TET1G 在这些方面表现优异。

LDTA125TET1G 主要应用于射频和高频电子系统中。其典型应用包括低噪声放大器（LNA）、射频混频器、中频放大器、无线通信模块、GPS 接收器、FM 接收器、射频测试设备以及各种便携式通信设备。
　　在低噪声放大器设计中，LDTA125TET1G 的低噪声特性和高增益使其成为理想的前端放大器器件，有助于提升接收系统的整体灵敏度。
　　此外，该晶体管也广泛用于射频混频器电路中，作为信号转换和频率合成的关键元件。其良好的线性度和高频响应特性有助于实现高保真的信号处理。
　　在无线通信模块中，如蓝牙、Wi-Fi 和蜂窝通信模块，LDTA125TET1G 可用于射频信号放大和调制解调电路中，提供稳定的信号增益和低失真。
　　由于其 SOT-323 封装的紧凑性，该晶体管也常用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的射频前端电路。

BC847 NPN, 2N3904, BFQ54, BFQ19 NPN