类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：70A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.013Ω @ VGS=10V
　　导通阈值电压（VGS(th)）：1V ~ 2.5V
　　功耗（PD）：180W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252（D-Pak）

FQP70N03 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流条件下导通损耗大大降低，从而提高了整体系统的效率。
　　此外，该器件具有较高的电流承载能力，能够在持续高负载条件下稳定工作，适用于大功率应用如电源转换器、电池充电系统等。
　　该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，采用 TO-252 封装，有助于快速散热，避免过热损坏。
　　由于其栅极驱动电压范围宽泛（典型为 4.5V 至 10V），FQP70N03 可与多种驱动电路兼容，包括常见的逻辑电平驱动器。
　　该器件还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于在高频开关应用中减少开关损耗，提升系统性能。
　　此外，FQP70N03 在设计中考虑了雪崩能量耐受能力，具备一定的抗过载和抗冲击能力，适合工业和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场合。

FQP70N03 被广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中，如 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关控制、工业自动化设备以及高功率 LED 驱动电路。
　　该器件也常见于汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和启停系统等，其高电流能力和良好的热性能使其在这些环境中表现出色。
　　此外，FQP70N03 还适用于 UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、功率因数校正（PFC）电路以及各种需要高效能、高可靠性的功率开关场合。

IRF7413, FDP70N03, Si7454DP, IPD70N03S4-03, FQP70N03L