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IRLR3715TRRPBF 发布时间 时间:2025/6/16 19:46:09 查看 阅读:4

IRLR3715TRRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用Trench技术,具备低导通电阻和快速开关特性,适合用于各种高效能电源转换应用。其封装形式为TO-252 (DPAK),适用于表面贴装工艺。
  该MOSFET广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景,凭借其出色的性能表现,成为许多高效率设计中的理想选择。

参数

最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):39A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,当Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):26W
  结温范围(Tj):-55°C至175°C
  栅极电荷(Qg):18nC(典型值)
  输入电容(Ciss):1030pF(典型值)

特性

IRLR3715TRRPBF具有非常低的导通电阻,这使其在大电流应用中能够显著降低传导损耗。
  此外,它还拥有快速开关速度,从而减少开关损耗并提高系统效率。
  该器件的热稳定性良好,能够在较高温度下可靠工作。
  由于采用了TO-252封装,因此便于自动化生产和焊接,同时提供良好的散热性能。
  MOSFET内置了ESD保护功能以增强可靠性,并且符合RoHS环保标准。

应用

这款MOSFET适合用作高效能功率转换电路的核心组件,例如:
  - 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件
  - 各类降压和升压DC-DC转换器
  - 电池管理系统中的负载开关或保护电路
  - 小型电机驱动和控制电路
  - 汽车电子系统中的负载切换
  - 工业设备中的功率管理模块

替代型号

IRLR3714TRPBF, IRLZ34N, FDP5500

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IRLR3715TRRPBF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C54A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 26A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1060pF @ 10V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)