IRLR3715TRRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用Trench技术,具备低导通电阻和快速开关特性,适合用于各种高效能电源转换应用。其封装形式为TO-252 (DPAK),适用于表面贴装工艺。
该MOSFET广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景,凭借其出色的性能表现,成为许多高效率设计中的理想选择。
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):39A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,当Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):26W
结温范围(Tj):-55°C至175°C
栅极电荷(Qg):18nC(典型值)
输入电容(Ciss):1030pF(典型值)
IRLR3715TRRPBF具有非常低的导通电阻,这使其在大电流应用中能够显著降低传导损耗。
此外,它还拥有快速开关速度,从而减少开关损耗并提高系统效率。
该器件的热稳定性良好,能够在较高温度下可靠工作。
由于采用了TO-252封装,因此便于自动化生产和焊接,同时提供良好的散热性能。
MOSFET内置了ESD保护功能以增强可靠性,并且符合RoHS环保标准。
这款MOSFET适合用作高效能功率转换电路的核心组件,例如:
- 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件
- 各类降压和升压DC-DC转换器
- 电池管理系统中的负载开关或保护电路
- 小型电机驱动和控制电路
- 汽车电子系统中的负载切换
- 工业设备中的功率管理模块
IRLR3714TRPBF, IRLZ34N, FDP5500