时间：2025/5/15 10:33:04
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FQD17N08L 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等高频应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著降低功耗并提高系统效率。
型号：FQD17N08L
类型：N沟道 MOSFET
封装：TO-252/DPAK
Vds（漏源极电压）：80V
Rds(on)（导通电阻）：17mΩ（典型值，在 Vgs=10V 条件下）
Id（连续漏极电流）：14A
BVDSS（击穿电压）：80V
栅极电荷 Qg：25nC（最大值）
总电容 Ciss：365pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FQD17N08L 具有出色的电气性能，其主要特性如下：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可有效减少传导损耗，提升效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用，适合开关电源和 DC-DC 转换器设计。
3. 小型化封装 TO-252/DPAK，便于 PCB 布局优化，同时具备良好的散热性能。
4. 强大的过流能力和耐压水平，确保在各种负载条件下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代化电子产品的需求。
此外，FQD17N08L 在开关频率较高的场景中表现尤为突出，非常适合需要高效能量转换的应用。
FQD17N08L 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 各类 DC-DC 转换器，包括降压、升压及升降压电路。
3. 电池管理系统的充放电控制。
4. 电机驱动和逆变器应用。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. LED 照明驱动电路。
由于其低导通电阻和高效率特性，该器件特别适合对能效要求严格的便携式设备及绿色能源相关产品。
FQP17N06L, IRFZ44N, FDN349AN
