存储容量：4Gbit
　　数据宽度：x8
　　封装类型：FBGA
　　时钟频率：1600MHz
　　电压：1.2V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　数据速率：1600Mbps
　　接口类型：DDR4 SDRAM
　　组织结构：512M x 8

H5TQ4G83CMR-H9C是一款高性能DDR4 SDRAM芯片，采用了先进的DRAM制造工艺和DDR4技术，具备高速数据传输能力。该芯片支持1600Mbps的数据速率，能够在高频下稳定工作，满足对内存带宽要求较高的应用需求。其采用的FBGA封装形式，具有较小的封装尺寸和良好的热管理性能，适用于空间受限的设计场景。
　　该芯片的工作电压为1.2V，相较于传统的DDR3 SDRAM，功耗更低，能效更高，适用于对功耗敏感的便携式设备和嵌入式系统。此外，它支持宽温度范围工作（-40°C至+85°C），可在各种环境条件下保持稳定运行，适用于工业控制、车载系统、通信设备等领域。
　　H5TQ4G83CMR-H9C符合JEDEC标准，具备良好的兼容性，可以与其他标准DDR4组件无缝连接。其内置的刷新机制和纠错功能，提高了数据存储的可靠性，降低了数据丢失的风险。此外，该芯片还支持自动刷新、自刷新和深度掉电模式等多种低功耗模式，可根据系统需求灵活调整功耗。

H5TQ4G83CMR-H9C广泛应用于高性能计算设备、工业控制系统、网络通信设备、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、智能电视）以及车载电子系统等领域。由于其高密度、高速度和低功耗特性，它适用于需要大容量内存缓冲和高速数据处理的应用场景，例如视频处理、图形渲染、嵌入式系统和物联网设备等。

H5TQ4G83CFR-H9C, H5TQ4G83BMR-H9C, H5TQ4G83AMR-H9C