K9F8G08U0M-PIB0 是三星(Samsung)公司生产的一款 NAND Flash 存储芯片,广泛应用于数据存储领域。该芯片采用先进的制造工艺,提供高密度的存储容量和可靠的性能,适用于各种嵌入式系统、消费类电子产品以及工业应用。
这款芯片的主要功能是提供非易失性存储,即使在断电情况下也能保存数据,因此被广泛用于固态硬盘(SSD)、USB 闪存盘、内存卡以及其他需要大容量存储的应用场景。
存储容量:128 Mb
存储类型:NAND Flash
接口类型:同步接口
工作电压(Vcc):3.3V
页面大小:512 Bytes
块大小:16KB
数据保留时间:10年
擦写寿命:100,000 次
封装形式:TSOP-48
工作温度范围:-25°C 至 +85°C
K9F8G08U0M-PIB0 提供了高效的存储解决方案,具有以下特点:
1. 高密度存储能力:该芯片可以实现大容量的数据存储,满足现代设备对存储空间的需求。
2. 快速读写速度:其内部架构设计优化了数据传输效率,提供了较快的读写性能。
3. 可靠性高:具备较强的抗干扰能力和数据保护机制,能够在多种环境下稳定运行。
4. 小型化封装:采用 TSOP-48 封装,适合空间受限的应用场合。
5. 非易失性存储:能够长期保存数据,不因断电而丢失信息。
6. 支持多种操作模式:包括页编程、块擦除等,方便用户根据需求进行灵活配置。
K9F8G08U0M-PIB0 芯片主要应用于以下领域:
1. 嵌入式系统:如路由器、交换机等网络设备中,用作启动程序和操作系统镜像的存储。
2. 消费电子:例如 MP3 播放器、数码相机和其他便携式设备中的数据存储组件。
3. 工业控制:为工业计算机和自动化设备提供可靠的数据存储功能。
4. 固态存储设备:作为 SSD 和 USB 闪存盘的核心存储单元之一。
5. 数据备份与恢复:可用于数据备份设备中,确保重要信息的安全存储。
K9F1G08U0M-PIB0
K9F2G08U0A-PIB0
K9F8G08U0E-PIB0