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K9F8G08U0M-PIB0 发布时间 时间:2025/4/25 18:22:05 查看 阅读:7

K9F8G08U0M-PIB0 是三星(Samsung)公司生产的一款 NAND Flash 存储芯片,广泛应用于数据存储领域。该芯片采用先进的制造工艺,提供高密度的存储容量和可靠的性能,适用于各种嵌入式系统、消费类电子产品以及工业应用。
  这款芯片的主要功能是提供非易失性存储,即使在断电情况下也能保存数据,因此被广泛用于固态硬盘(SSD)、USB 闪存盘、内存卡以及其他需要大容量存储的应用场景。

参数

存储容量:128 Mb
  存储类型:NAND Flash
  接口类型:同步接口
  工作电压(Vcc):3.3V
  页面大小:512 Bytes
  块大小:16KB
  数据保留时间:10年
  擦写寿命:100,000 次
  封装形式:TSOP-48
  工作温度范围:-25°C 至 +85°C

特性

K9F8G08U0M-PIB0 提供了高效的存储解决方案,具有以下特点:
  1. 高密度存储能力:该芯片可以实现大容量的数据存储,满足现代设备对存储空间的需求。
  2. 快速读写速度:其内部架构设计优化了数据传输效率,提供了较快的读写性能。
  3. 可靠性高:具备较强的抗干扰能力和数据保护机制,能够在多种环境下稳定运行。
  4. 小型化封装:采用 TSOP-48 封装,适合空间受限的应用场合。
  5. 非易失性存储:能够长期保存数据,不因断电而丢失信息。
  6. 支持多种操作模式:包括页编程、块擦除等,方便用户根据需求进行灵活配置。

应用

K9F8G08U0M-PIB0 芯片主要应用于以下领域:
  1. 嵌入式系统:如路由器、交换机等网络设备中,用作启动程序和操作系统镜像的存储。
  2. 消费电子:例如 MP3 播放器、数码相机和其他便携式设备中的数据存储组件。
  3. 工业控制:为工业计算机和自动化设备提供可靠的数据存储功能。
  4. 固态存储设备:作为 SSD 和 USB 闪存盘的核心存储单元之一。
  5. 数据备份与恢复:可用于数据备份设备中,确保重要信息的安全存储。

替代型号

K9F1G08U0M-PIB0
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