H7555IBA是一款高性能的功率MOSFET晶体管,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件采用TO-220封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,能够有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:30A
导通电阻:1.4mΩ
总功耗:150W
工作温度范围:-55℃ to 175℃
H7555IBA具有低导通电阻,这使得其在高电流应用场景中表现出优异的性能。此外,它具备快速的开关速度,可显著减少开关损耗。
器件内部集成了ESD保护电路,提高了抗静电能力,增强了器件的可靠性。
H7555IBA支持较宽的工作温度范围,使其适合各种环境下的工业应用,例如汽车电子、家用电器和通信设备中的功率管理模块。
其封装形式为标准TO-220,便于焊接和散热设计,同时兼容大多数传统的PCB布局方案。
H7555IBA广泛应用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关、电池保护以及各种需要高效功率转换的领域。由于其出色的电气性能和稳定性,该元件尤其适用于需要承受大电流且对热管理要求严格的场合。
IRF540N
STP30NF06L
FDP18N06S