晶体管类型：PNP
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：100 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：100 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　直流电流增益（hFE）：110 @ Ic=2 mA, Vce=5 V
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23

PR3BMF11NSZN 晶体管具有多项出色的电气特性和物理特性，使其在多种电子应用中表现出色。首先，其低饱和电压（Vce_sat）特性使得在导通状态下功率损耗更小，从而提高了整体系统的效率。此外，该晶体管具有较高的电流增益（hFE），这使其在放大电路中能够提供更强的信号增强能力。
　　PR3BMF11NSZN 采用了 SOT-23 封装，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用。同时，该封装也提供了良好的热管理和电气性能。晶体管的频率响应高达 100 MHz，适合用于中高频的开关和放大应用。
　　这款晶体管还具有良好的热稳定性和较高的可靠性，适用于各种工业控制、汽车电子和消费类电子产品。其宽工作温度范围（-55°C 至 150°C）也确保了在极端环境下的稳定运行。

PR3BMF11NSZN 主要应用于需要中等功率和高频特性的电路中。例如，它可以用于音频放大器中的前置放大级，或者在开关电源中作为控制电路的一部分。此外，该晶体管也常用于驱动继电器、LED 显示屏、小型电机和各种传感器。
　　在汽车电子系统中，PR3BMF11NSZN 可用于车身控制模块、照明系统以及车载娱乐系统的电路设计中。由于其高可靠性和稳定性，也适用于一些工业自动化设备和智能家电中。

BC857BPN, PN2907ALT1G, 2N3906