时间：2025/5/12 10:21:33
阅读：6
FQB12P20TM-SB82075 是一款 N 沟道逻辑增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于低电压、高效率的开关应用。该器件采用先进的制程工艺设计，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，能够有效降低功率损耗并提升系统性能。
此 MOSFET 主要用于电源管理、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能开关操作的应用场景。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：12A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：36nC
开关时间：ton=10ns, toff=15ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提高整体效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用场合。
3. 小型封装 (如 LFPAK 或 D2PAK)，便于在紧凑设计中使用。
4. 高可靠性与耐用性，能够在严苛环境下稳定运行。
5. 支持多种保护功能，例如过流保护、短路保护等，从而提升系统安全性。
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
4. 各类电机驱动电路。
5. 消费电子设备中的功率管理模块。
6. 工业自动化设备中的控制电路。
FQP12N20, IRLZ44N, FDS6670A
