时间：2025/4/28 20:16:15
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SUP75N03-04-E3是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，主要应用于低电压和高效率的功率转换场景。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及优异的热性能等特性，适合在便携式设备、消费类电子产品及工业控制中使用。
这款MOSFET采用TO-252 (DPAK) 封装形式，具备良好的散热特性和机械稳定性，能够有效降低电路损耗并提高系统可靠性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：75A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：29nC
输入电容：1690pF
总耗散功率（Tc=25°C）：110W
工作结温范围：-55°C至+175°C
1. 极低的导通电阻，可减少导通损耗，提升整体效率。
2. 快速的开关特性，适合高频应用环境。
3. 高雪崩耐量，增强了器件的可靠性和耐用性。
4. TO-252封装形式，提供出色的散热能力和安装便利性。
5. 宽广的工作温度范围，适应多种复杂工况。
6. 符合RoHS标准，环保且安全。
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器，用于负载点稳压。
3. 电池保护电路与电机驱动电路。
4. 消费类电子产品的功率管理模块。
5. 工业自动化设备中的功率开关元件。
6. 通信设备中的高效功率传输部分。
SUP75N03L-04-E3
SUP75N03-08-E3
IRF7727
FDP75N03L
