PS431415 是一款由 Littelfuse 公司生产的 P 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),主要用于高侧负载开关、电源管理以及 DC-DC 转换器等应用。该器件具有快速响应、低导通电阻和高可靠性等优点,适用于需要高效能功率管理的场合。PS431415 的封装形式为 8 引脚 SOIC,便于表面贴装,适合现代电子设备中对空间和散热要求较高的设计。
类型:P 沟道 MOSFET
封装:SOIC-8
工作温度范围:-55°C 至 150°C
漏极-源极电压(VDS):20V
栅极-源极电压(VGS):±12V
连续漏极电流(ID):4A
导通电阻(RDS(on)):35mΩ(典型值)
功率耗散:1.4W
栅极电荷(QG):10nC
上升时间:35ns
下降时间:20ns
PS431415 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,具有极低的导通电阻(RDS(on))和快速的开关速度,适用于高效率的电源转换和功率控制应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,确保在高电流负载下仍能保持较低的导通损耗。此外,PS431415 内部集成了一个快速响应的栅极驱动器,能够显著提升开关性能,减少开关损耗。
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,具有良好的热稳定性和可靠性,适合在各种工业和汽车环境中使用。其 8 引脚 SOIC 封装不仅节省空间,还具备良好的散热能力,能够满足高功率密度设计的需求。此外,PS431415 还具备过温保护和欠压锁定功能,进一步提升了系统的安全性和稳定性。
在实际应用中,PS431415 可用于高侧开关控制、负载开关、电源分配系统以及电池供电设备中的功率管理模块。其快速的开关响应时间和低导通电阻使其在高频率 DC-DC 转换器中表现出色,有助于提高整体系统的能效。同时,该器件的栅极驱动电路设计简化了外部控制电路的复杂性,降低了设计难度和成本。
PS431415 主要应用于高侧开关、负载开关、电源管理系统、DC-DC 转换器、电池供电设备、工业自动化设备以及汽车电子系统等领域。其低导通电阻和快速开关特性使其特别适合用于需要高效率和高性能的功率管理应用。
Si4435BDY-T1-GE3, FDC6303, NVTFS5C471NL