时间：2025/9/14 2:41:52
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PSMN038-100K,518 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能。该封装为DFN2020-6，体积小巧，适用于空间受限的应用场景。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：100V
漏极电流(Id)：8.8A
导通电阻(Rds(on))：38mΩ @ Vgs=10V
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：DFN2020-6
PSMN038-100K,518 的核心优势在于其极低的导通电阻（仅38mΩ），这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，从而提高整体系统效率。其采用先进的Trench MOSFET技术，确保了在高频开关应用中的性能稳定。
该MOSFET的封装形式为DFN2020-6，是一种无引脚双侧散热封装，具有良好的热管理能力，能够有效提升器件的散热效率。此外，DFN封装的小巧体积也使得该器件非常适合用于便携式设备和空间受限的设计中。
PSMN038-100K,518 还具备出色的雪崩能量耐受能力，确保在突发负载或异常工作条件下仍能保持稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），支持多种驱动电路设计，适用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用场景。
此外，该器件符合RoHS环保标准，不含卤素，符合现代电子产品对环保材料的要求，适合用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域。
PSMN038-100K,518 主要用于以下类型的电路设计：
1. DC-DC降压/升压转换器：适用于电源管理系统，特别是在需要高效率和小尺寸设计的场合；
2. 同步整流器：用于AC-DC电源和隔离式DC-DC模块中，以提高整流效率；
3. 负载开关：用于控制电池供电设备中的电源路径管理；
4. 电机驱动电路：适用于小型电机或风扇控制，提供快速开关能力；
5. 热插拔电源管理：在服务器和通信设备中作为电源隔离开关使用；
6. 汽车电子系统：如车载充电器、电动工具和LED照明驱动等应用。
SiSS14DN, NVTFS5C428NLTAG, FDS6680, PSMN041-100K,518
