IXTH27N35MB 时间：2025/8/5 18:54:17 阅读：14

IXTH27N35MB 是由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计，具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等特点。IXTH27N35MB 采用 TO-247 封装，适用于各种工业和电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制和电池充电器等。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：350V
　　最大漏极电流（Id）：27A
　　导通电阻（Rds(on)）：120mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：100nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装：TO-247
　　最大功率耗散（Ptot）：200W

特性

IXTH27N35MB 具备出色的导通和开关性能，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。其低导通电阻（Rds(on)）仅为 120mΩ，使得在高电流工作时的导通损耗显著降低。
　　该器件的栅极电荷（Qg）为 100nC，有助于实现快速的开关动作，减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。
　　IXTH27N35MB 采用先进的沟槽栅极技术，提供更高的性能和可靠性，同时具备优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。
　　此外，该 MOSFET 的 TO-247 封装具有良好的散热性能，支持高功率密度设计，适用于紧凑型电源系统。其工作温度范围从 -55°C 到 +175°C，适应各种恶劣的工作环境，确保长时间稳定运行。
　　该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定工作，增强系统的安全性和可靠性。

应用

IXTH27N35MB 广泛应用于多种功率电子系统中，尤其适合需要高效率和高频操作的场合。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动系统、电池管理系统以及工业自动化控制设备。
　　由于其高耐压和大电流能力，该 MOSFET 非常适合用于中高功率的电源转换系统，如服务器电源、工业电源和光伏逆变器。
　　在电机控制应用中，IXTH27N35MB 可用于实现高性能的 PWM 控制，提高电机的效率和响应速度。同时，其优异的热稳定性和高可靠性也使其适用于汽车电子和电动车充电系统等对可靠性要求较高的领域。