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FP10R12W1T4 发布时间 时间:2025/7/9 13:02:20 查看 阅读:12

FP10R12W1T4 是一款由知名半导体制造商生产的功率 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),主要应用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提升系统性能并降低能耗。
  这款功率 MOSFET 通常被设计用于需要高电流承载能力和高效能量转换的场景。它支持多种封装形式,并优化了热性能以适应严苛的工作环境。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关速度:超快
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装类型:TO-247

特性

FP10R12W1T4 的核心特点是其卓越的电气性能和可靠性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可减少传导损耗,从而提高整体效率。
  2. 快速的开关速度使其非常适合高频应用,同时降低了开关损耗。
  3. 高额定电流能力确保了其在大负载条件下的稳定性。
  4. 具备出色的热管理功能,能够在高温环境下保持稳定运行。
  5. 内置保护机制增强了器件的安全性和耐用性。
  6. 支持宽泛的工作温度范围,适应各种工业及汽车级应用场景。

应用

FP10R12W1T4 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中作为主功率开关。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流或升压元件。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  4. 新能源汽车中的电池管理系统 (BMS) 和逆变器。
  5. 工业自动化设备中的负载控制与电源调节模块。
  6. LED 照明驱动器和光伏逆变器等新能源相关产品。

替代型号

FP15R12W1T4
  IRFZ44N
  FDP15U12AE
  STP10NK120Z

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FP10R12W1T4参数

  • 制造商Infineon
  • 产品IGBT Silicon Modules
  • 配置Array 7
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO1200 V
  • 在25 C的连续集电极电流20 A
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 封装 / 箱体EASY1B
  • 栅极/发射极最大电压+/- 20 V
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格Screw