FP10R12W1T4 是一款由知名半导体制造商生产的功率 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),主要应用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提升系统性能并降低能耗。
这款功率 MOSFET 通常被设计用于需要高电流承载能力和高效能量转换的场景。它支持多种封装形式,并优化了热性能以适应严苛的工作环境。
最大漏源电压:120V
连续漏极电流:10A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:35nC
开关速度:超快
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
封装类型:TO-247
FP10R12W1T4 的核心特点是其卓越的电气性能和可靠性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可减少传导损耗,从而提高整体效率。
2. 快速的开关速度使其非常适合高频应用,同时降低了开关损耗。
3. 高额定电流能力确保了其在大负载条件下的稳定性。
4. 具备出色的热管理功能,能够在高温环境下保持稳定运行。
5. 内置保护机制增强了器件的安全性和耐用性。
6. 支持宽泛的工作温度范围,适应各种工业及汽车级应用场景。
FP10R12W1T4 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中作为主功率开关。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或升压元件。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 新能源汽车中的电池管理系统 (BMS) 和逆变器。
5. 工业自动化设备中的负载控制与电源调节模块。
6. LED 照明驱动器和光伏逆变器等新能源相关产品。
FP15R12W1T4
IRFZ44N
FDP15U12AE
STP10NK120Z